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전공공부

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반도체의 종류와 결정구조 물질의 성질을 유지하면서 최소 크기를 가진 기본단위를 분자라고 부른다. 분자를 더 쪼개면 각종 물질이 갖고 고유의 성질은 상실되면서 원자로 나눌 수 있다. 원자를 더 쪼개면 작은 원자핵과 전자로 나니고, 원자핵은 다시 양성자와 중성자로 쪼개진다. 우주에는 수많은 물질이 존재하고 그 수만큼 분자의 종류가 존재하지만 분자에서 원자로 보내는 순간 물질 고유의 성질이 사라지므로 원자는 물질 수만큼 존재하지 않아도 된다. 지구 상에서 존재하는 원자의 수는 기적의 정도 밖에 안되지만이 원자들을 서로 다양한 방법으로 조합하면 수많은 문자, 물질 분자들을 탄생시킬 수 있다. 질량을 가진 모든 물체 사이에는 서로의 인력이 작용한다. 이힘을 중력점이라고 부른다. 유사하게 전하량을 가진 모든 물체 사이에는 서로 다른 부호인..
반도체에서 도핑 용어 도핑 반도체 용어 중에 도핑관련하여 많은 이론들이 등장한다. 도핑에 대해서 알아보겠다. 일단, 도핑 반도체는 전기, 광학, 구조 특성을 변조하기 위해 의도적으로 도핑한 반도체라고 보면 된다. 특히, 이온화 방사선의 반도체 검출기의 경우를 살펴보겠다. 매우 어려운 용어인데 이는 도핑은 전기적 성질의 변화를 목적으로 불순물을 내적 반도체로 강제로 유입시키는 것이다. 그래서 내재 반도체는 순수 반도체나 i형 반도체로도 알려져 있다. 반도체를 구성하는 것 중에 실리콘과 게르마늄을 생각하지 않을 수 없다. 실리콘이나 게르마늄의 정규 결정 격자에 적은 비율의 이물질 원자가 추가되면, 반도체 결정 구조로 통합된 이물질 원자들이 반도체에서 무상으로 충전 캐리어를 제공한다고 한다. 그래서 그 전기적 특성에 극적인 변화가..
반도체의 역사 살펴보기 첫화 반도체의 역사를 알아보자. 최초로 백열전구를 발명한 토마스 알바 에디슨도 직류 전류가 전구의 가열된 금속 필라멘트에서 발견한 것이 있다. 후자가 양의 전압을 가졌을 때만 다른 전극으로 흐른다는 사실을 알아챘다. 에디슨 효과를 이용하여 두 개의 전기로 된 진공관 정류기를 발명했는데, 곧 전기 회로에 중요한 역할을 하게 되었다. 에니악은 약 18,000개의 진공관을 장착하고 약 30톤의 무게를 가진 지금까지 만들어진 전자 기계 중 가장 큰 것이었다. 그것은 160제곱미터의 방을 차지하고 있었다.컴퓨터는 총 11만 개의 전자 회로 장치로 구성되었다. 하지만 요즘의 마이크로프로세서는 일반적으로 수천만 개의 트랜지스터를 통합하지만 손바닥보다 작다. 이 놀라운 크기의 감소는 고체 상태의 반도체가 진공관을 대체하면서..
반도체 광효율에 대해서 광효율에 대한 해석1 발광 효율은 빛의 생성에 따른 효율을 측정하는 척도로 와트당 발광 효율로 지정된다. 램프 발광 효율은 표준 주변 조건에서 개방된 배전등의 전력 소비량에 대한 방출 광량의 비율을 의미한다. 조금 더 나아가 고전적인 광원 중에서도 특히 가스 방전등의 경우 에너지 효율이 높다고 한다. 특히 직경이 16mm인 T5 램프라고 불리우는 형광등의 경우 에너지 효율이 높다. LED와 방전등을 작동시키기 위해서는 제어장치가 필요하며, 이 또한 전력소모를 고려해야 한다. 램프 스위칭의 시스템 발광 효율은 램프 및 제어 장치의 소비량에 대한 램프 발광 유량의 비율로 정의된다. 따라서 시스템 발광 효율은 램프의 발광 효율과 필요한 제어 장치(밸러스트)의 전력 손실에 의해 결정된다. 이것은 종종 계획된 재..
반도체 이야기 SRAM&DRAM SRAM 정적 RAM(Static Random Access Memory, 정적 RAM 또는 SRAM)은 메모리에 전원이 공급되는 한 정적 형태로 데이터를 보관하는 RAM의 일종이다. 다이나믹 램과 다름이 느껴질 것이다. SRAM은 두 개의 교차 커플링 인버터를 사용하여 4개의 트랜지스터에 소량의 데이터를 저장한다. 두 개의 안정 상태는 0과 1의 특징을 나타낸다. 읽기 및 쓰기 작업 중 또 다른 두 개의 액세스 트랜지스터를 사용하여 메모리 셀의 가용성을 관리한다. 메모리 비트 하나를 저장하려면 6개의 금속, 산화반도체, 전계효과 트랜지스터(MOFSET)가 필요하다고 한다. MOFSET는 두 종류의 SRAM 칩 중 하나이다. 다른 하나는 양극 접합 트랜지스터다. 양극 접합 트랜지스터는 매우 빠르지만 많은 ..
반도체에서 캐리어란? 전기장이 금속에 가해질 때 음전하가 걸린 전자가 가속되어 그 결과로 생기는 전류를 전달한다. 반도체에서 전하가 전자에 의해서만 전달되는 것은 아니다. 양극으로 충전된 구멍도 전하를 운반한다. 이것들은 달리 채워진 밸런스 밴드의 빈칸으로 볼 수도 있고 양전하 입자와 동등하게 볼 수도 있다. 페르미-디락 분포는 절대 0에서의 스텝 함수이므로 순수한 반도체는 전자로 채워진 발란스 밴드의 모든 상태를 가지며 절대 0에서의 절연체가 될 것이다. 이는 아래 E-k 다이어그램에 설명되어 있다. 음영 원은 채워진 운동량 상태를 나타내고 빈 원은 채워지지 않은 운동량 상태를 나타낸다. 이 도표에서 k가 아닌 k는 파동 벡터가 실제로 벡터, 즉 스칼라가 아닌 1등급의 텐서라는 것을 나타내기 위해 사용되어 왔다. 밴드 간격..
저항에대해서 알아보기 저항이란?! 이 생각을 더 나아가서 전도성을 나타내는 기호와 단위가 만들어졌다. 기호는 대문자 "G"이고 단위는 mho인데, 뒤에 철자가 "옴"이다(그리고 당신은 전자 공학자들이 유머 감각을 가지고 있다고 생각하지 않았다!). mho의 단위는 적절함에도 불구하고 후년에 지멘스(siemens)의 단위(약칭 대문자 "S")로 대체되었다. 단위 이름을 바꾸기로 한 이 결정은 섭씨 도 단위의 온도 단위에서 섭씨로의 변화, 또는 주파수 c.p.s 단위(초당 주기)에서 헤르츠로의 변화를 연상시킨다. 여기서 패턴을 찾고 있다면 지멘스, 셀시우스, 헤르츠 등은 모두 유명한 과학자들의 성씨인데, 그 이름들은 슬프게도 단위의 원래 명칭보다 단위의 성격에 대해 적게 말해준다. 각주로서 지멘스의 단위는 's'라는 마지막 글자..
노턴의 정리에 대해서 노턴의 정리 테베닌의 정리와는 대조적으로 노턴의 정리는 회로의 일부를 전류 공급원과 병렬 저항을 구성하는 등가 회로로 대체한다. 이 정리는 1926년 E. L. Norton이 제안한 테베닌 정리의 연장선이다. 테베닌의 정리처럼 다른 회로 저감 기법에 비해 간단한 계산으로 부하 전압, 부하 전류, 부하 전력 등의 부하 변수를 계산하는 데도 사용된다. 따라서 이 정리를 테베닌의 정리의 이중으로 부르기도 한다. 대부분의 경우 최대 전력을 부하로 전달하기 위한 하중 저항의 선택은 테베닌의 이론이나 노턴의 이론에 의해 결정된다. Norton의 정리에서는 , 독립적인 선원과 선형 저항을 구성하는 모든 두 개의 단자 선형 네트워크는 병렬 저항기를 가진 전류 소스로 구성된 등가 회로로 대체될 수 있다고 명시하고 있다...

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